买卖IC网 >> 产品目录 >> TSC966CT A3 两极晶体管 - BJT NPN Silicon Planar Med Power Transistor datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

TSC966CT A3

库存数量：可订货
制造商：Taiwan Semiconductor
描述：两极晶体管 - BJT NPN Silicon Planar Med Power Transistor
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> 两极晶体管 - BJT
描述 两极晶体管 - BJT NPN Silicon Planar Med Power Transistor
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制造商 Taiwan Semiconductor
配置
晶体管极性
集电极—基极电压 VCBO
集电极—发射极最大电压 VCEO
发射极 - 基极电压 VEBO
集电极—射极饱和电压
最大直流电集电极电流
增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe Min
最大工作温度
安装风格
封装 / 箱体
相关资料
属性
链接
代理商 TSC966CT A3
TSC966CTA3
TSC966CWRPG
TSCC51CDY-12CA
TSCC51WIT-12CA
TSCDANN001PGUCV
供应商
公司名
电话
深圳市华雄半导体（集团）有限公司 18988598856 雷精云
江苏名佑芯电子科技有限公司 17305201127 任祥建
深圳市莱特斯电子科技有限公司 19176527791 江先生
北京首天伟业科技有限公司 010-62565447 刘先生
深圳市品业电子有限公司 0755-23895664 李小姐
科创特电子（香港）有限公司 0755-83014603 柯
  • TSC966CT A3 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    10,000 0.1284 1284
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